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近中紅外激光晶體熒光光譜測(cè)試
更新時(shí)間:2020-11-11瀏覽:2847次

近中紅外熒光光譜測(cè)試

近中紅外具體指哪個(gè)波段?

紅外輻射覆蓋從700nm到1mm的范圍,常見地按照波段進(jìn)行區(qū)分,紅外分為以下幾個(gè)部分:近紅外(0.75-1.4μm)、短波紅外(1.4-3μm)、中紅外(3-8μm)、長(zhǎng)波紅外(8-15μm)、遠(yuǎn)紅外(15-1000μm),所以近中紅外區(qū)我們大致概括為700nm到8μm范圍。

 

紅外與電磁波譜的關(guān)系

 

近中紅外熒光材料的典型應(yīng)用——近中紅外激光晶體

Er:YAG和Cr,Er:YAG激光晶體棒的圖片

 

由于3μm中紅外波段激光在領(lǐng)域、激光理療設(shè)備及環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景,稀土離子摻雜的固體激光材料因此得到廣泛關(guān)注及大量研究。

較早被研究的材料有基于808nm、980nm激光器激發(fā)的Er3+的2.7μm發(fā)射(4I11/2-4I13/2躍遷),隨著半導(dǎo)體激光器在短波長(zhǎng)逐漸成熟,衍生出了Ho3+離子摻雜的LiYF4,使用640nm的激光激發(fā)可產(chǎn)生1.2μm(5I6-5I8),2.0μm(5I7-5I8),2.8-3μm(5I5-5I7)均具有較強(qiáng)的熒光,再有硫系玻璃如Ho3+摻雜的Ge-Ga-S-CsI玻璃,在900nm激發(fā)下能夠發(fā)射2.81μm(5I6-5I7)和3.86μm(5I5-5I6)。

近期,中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所微納光電子功能材料實(shí)驗(yàn)室在3微米激光晶體研究中取得進(jìn)展,研究團(tuán)采用提拉法生長(zhǎng)Ho:CaGdAlO4和Ho,Pr:CaGdAlO4晶體,分析晶體質(zhì)量、結(jié)構(gòu)、溶質(zhì)分凝與偏振光譜性能。Ho3+的5I6→5I7躍遷呈寬帶熒光特性,發(fā)射波長(zhǎng)從2750nm延伸至3000nm,為中紅外超短脈沖的產(chǎn)生提供頻譜保障。

 

Ho:CaGdAlO4和Ho,Pr:CaGdAlO4晶體在1550nm激發(fā)下的中紅外發(fā)射光譜

 

Ho:CaGdAlO4和Ho,Pr:CaGdAlO4晶體熒光衰減曲線

 

以上數(shù)據(jù)截取自文章“Enhanced 2.86 μm emission from a Ho,Pr:CaGdAlO4 crystal”,發(fā)表在Journal of Luminescence雜志上,DOI:10.1016/j.jlumin.2020.117620

 

中紅外客戶案例與實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

華南理工大學(xué)摻鉺微晶玻璃的中紅外熒光光譜

在眾多激光玻璃材料中,由于Er離子摻雜的氟化物玻璃具有較低的聲子能量、優(yōu)異的中紅外透過特性、較高的激光損傷閾值,因此它是目前實(shí)現(xiàn)2.7μm波段光纖激光器的候選材料并備受關(guān)注,其2.7μm波段發(fā)光源于Er3+離子的4I11/2-4I13/2躍遷。

采用卓立漢光中紅外熒光測(cè)試系統(tǒng),系統(tǒng)組成:980nm激光器、Omni-λ5015i影像校正型紅外單色儀、紅外鍍金反射式樣品室、液氮制冷型InSb探測(cè)器(光譜響應(yīng)范圍1-5.5um)。

摻鉺中紅外熒光微晶玻璃

 

PL譜測(cè)試結(jié)果,發(fā)射峰在2.7μm左右。

 

湘潭大學(xué)中紅外組合式熒光光譜測(cè)量系統(tǒng)

配置808nm,980nm激光器摻Er離子樣品發(fā)射在1550nm,2730nm左右。

 

南方科技大學(xué)近中紅外熒光光譜

 

PbS量子點(diǎn)ns壽命測(cè)量及時(shí)間分辨熒光光譜

 

卓立漢光近中紅外光譜系統(tǒng)全新設(shè)計(jì)

 

OmniFluo960-IR:告別分離式組成,亮白整體式設(shè)計(jì)

 

配置方案

激發(fā)光源:根據(jù)需要選擇合適的激光器比如常見的808nm、980nm、1064nm、1550nm等

樣品倉(cāng):紅外鍍金反射式樣品倉(cāng),帶激光耦合光路;

發(fā)射光譜儀:320mm焦距紅外鍍金光譜儀

TE制冷型InGaAs探測(cè)器(美國(guó)Judson芯片),含二級(jí)制冷,前置放大器,響應(yīng)范圍:800-1700nm;

液氮制冷InSb探測(cè)器(美國(guó)Judson芯片),前置放大器,響應(yīng)范圍:1-5.5μm;

數(shù)據(jù)采集:斬波器chopper&鎖相放大器lock-in;

壽命測(cè)量:示波器oscilloscope;

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